芯片散热有了新思路 我国科学家开发出介电基底修饰新技术
新华社上海3月16日电(采访人员吴振东)半导体芯片运算速度越来越快 , 但随之而来的芯片发热问题困扰着业界和学界 。 复旦大学科研团队新近开发出一种介电基底修饰新技术 , 有望解决芯片散热问题 。 相关研究成果在线发表于权威科学期刊《自然·通讯》 。
研究表明 , 在一个芯片中 , 半导体材料和绝缘体材料之间 , 以六方氮化硼为材质的界面材料 , 将对其电子迁移率和散热产生至关重要的影响 。 传统方式是 , 研究人员先将其在别的“盆”里种出来 , 然后移栽到芯片材料上 。
复旦大学聚合物分子工程国家重点实验室研究员魏大程带领团队 , 开发了一种共形六方氮化硼修饰技术 , 在最低温度300摄氏度的条件下 , 无需催化剂直接在二氧化硅/硅片(SiO2/Si)、石英、蓝宝石、单晶硅基底表面“生长”高质量六方氮化硼薄膜 。 这一带来“无缝”效果的共形修饰技术 , 能让芯片材料性能显著提升 。
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