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3分钟了解晶体生长技术 晶体生长( 二 )


4)存在温度梯度、过饱和度、载气流量等一系列难以控制的因素 。
4固相生长
从固相生长晶体的主要优点是:
1)生长可以在较低的温度下进行，无需添加组分，即在低于熔点的温度下进行；
2)生长中的晶体的形状是预先固定的，因此晶体呈丝状、箔状等 。很容易长出来；
3)取向往往容易控制；
4)在除脱溶外的固相生长中，杂质和其它添加成分的分布在生长前是固定的，不随生长过程而改变(除了因相当缓慢的扩散而略有改变) 。
从固相生长晶体有五种主要方式:
(1)通过退火消除应变的再结晶；
(2)烧结生长；
(3)利用多态性转化生长；
(4)析晶重结晶；信息资源网络
(5)通过固体沉淀的再结晶(有时称为去溶剂化生长，其尚未用于单晶生长) 。

晶体生长方法的分类
一般来说，如果将晶体生长的全过程分解，至少应包括以下基本过程:溶质溶解、晶体生长基元形成、晶体生长基元在生长介质中的输运、晶体生长基元在晶体表面的运动和结合、晶体生长界面运动，从而实现晶体生长 。因此，从宏观角度来看，晶体生长过程是晶体与环境相(蒸气、溶液、熔体)的界面不断向环境相推移的过程，即含有组成晶体单元的母相由低序相向高阶相转变的过程 。从微观上看，晶体生长过程可以看作是一个“基元”过程，所谓“基元”是指结晶过程中最基本的结构单元 。广义来说，“基本”可以是原子、分子或具有一定几何构型的原子(分子)的集合体 。


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