环形正负电子对撞机：物理、技术以及现状(14) 作者：靳松娄

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图12高场超导二极磁体样机及其性能测试结果

[12]

这些研究确立了我国在高场加速器磁体技术领域的国际先进地位[13 ， 14] 。

CEPC探测器设计中将使用先进的半导体探测器技术以及读出电子学技术。在过去的几十年中，得益于LHC等实验应用需求以及半导体工艺的快速发展，半导体探测器和电子学的性能得到不断提升。性能的提升也进一步拓展其在其他辐射探测和辐射成像领域的广泛应用。研发中所积累的器件抗辐照设计、辐照加固等技术也能够为其他领域的应用、设计提供直接或间接的参考。针对未来高能物理及其他相关领域若干重要应用，硅径迹探测器技术发展将主要体现在传感器工艺和设计、前端电子学工艺及设计、集成硅探测器、先进连接技术等重要方面，持续提升硅径迹探测器性能。

国际上硅径迹探测器技术快速发展，而国内由于起步较晚且由于存在抗辐照工艺禁运等问题，在技术水平方面与国外前沿存在明显差距。以笔者所在的中国科学院高能物理研究所为例，近年来针对先进光源同步辐射探测、成像的需求，利用国内厂商提供的CMOS工艺，成功研制前端读出电子学ASIC芯片，主要性能已接近国外同类产品。与国内研究所设计、制作的硅像素传感器集成，逐渐开发出符合设计指标的整机系统。此外，还积极参与LHC实验探测器升级，通过国际合作的方式，努力打破技术禁运的同时通过参与实际研发项目提高硅径迹探测器设计水平。所参加的ATLAS实验硅微条径迹探测器升级课题所需经费部分已经得到国家重点研发计划支持。与此同时，基于已有设计经验，我们也在自主研制高性能的集成式硅探测器，满足未来对撞机实验的需求，并积极拓展应用范围。伴随着国家对于半导体工艺的持续投入，将有机会更多尝试国内工艺厂商提供的工艺，研制高性能的硅径迹探测器，走向国际前沿。