汉能科学家再获全球光伏荣誉奖项( 二 ) HarryAtwater

这也是继2017年Alta Devices联合创始人、集团资深专家Eli Yablonovitch教授因对太阳能电池器件物理科学与技术领域做出杰出贡献，在第44届PVSC大会上捧得William R. Cherry大奖之后，汉能科学家再获国际殊荣。一个团队两位重量级专家相继获得PV领域的权威大奖，充分证明了汉能Alta Devices在该领域的全球技术领先地位。

此次被提名的Harry Atwater是加州理工学院应用物理和材料科学霍华德?修斯教授(Howard Hughes Professor) ，是位于加州圣克拉拉的太阳能公司Alta Devices的联合创建人之一。而Yablonovitch教授还凭借杰出的科研成就当选为美国国家工程院、国家科学院、美国艺术与科学院院士，是伦敦皇家学会的外籍成员，并获得了其他多项著名奖项。他与Harry Atwater教授等联合创建了Alta Devices公司，致力于探索薄膜太阳能技术的科研与应用。

2014 年，汉能全资并购了位于美国加州的Alta Devices ，后者成为汉能旗下子公司。汉能Alta Devices致力于砷化镓(GaAs)移动能源技术，具有高转换效率，配以轻、薄、柔的特性，使薄膜太阳能芯片能够在不影响设计外观的情况下，广泛应用于汽车、无人机、无人驾驶系统、卫星、消费类电子产品、传感器、远程探测等各类应用领域。